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PDF文件
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| 關鍵詞： |
非晶SiO2納米線 熱蒸發法與溶膠-凝膠法 光致發光譜（PL） 氧空位缺陷中心 量子尺寸效應 |
| 資料大小： |
202K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2004年第五屆中國功能材料及其應用學術會議（9.12-9.16，北京.秦皇島） |
| 簡介： |
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熱蒸發法與溶膠－凝膠法相結合，成功制備出大量非晶SiO2納米線。這些納米線的直徑在10~200nm范圍內，長度可達幾十或幾百微米。借助于低溫（14K）光致發光譜（PL），我們發現平均直徑為150nm和15nm的非晶SiO2納米線表現出極大的不同。前者的發光譜帶可分解為峰值分別在494nm（2.51eV）和429nm（2.89eV）附近的兩個藍光發射帶。而后者除了在496nm(2.5eV)有一個寬的藍光帶外，在375nm（3.32eV）、385nm(3.22eV)和395nm（3.13eV）處還表現出三個明顯的紫外發光峰位。這些藍光帶的產生是由于非晶SiO2納米線中的氧空位缺陷中心引起的，但紫外發光峰產生的原因尚需進一步研究。此外，直徑為15nm的非晶SiO2納米線的發光強度是直徑為150nm的納米線的6倍多，表現出明顯的量子尺寸效應。 |
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| 作者： |
陳翌慶 張琨 王兵 侯建國
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| 上傳時間： |
2007-07-09 16:22:51 |
| 下載次數： |
618 |
| 消耗積分： |
2
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