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| LSI Logic：碳納米管內存將很快成為現實 |
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| 2004-6-15 ChinaByte |
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采用納米技術開發內存芯片的創業企業Nantero公司與特殊微芯片主要制造商LSI Logic公司將在近日宣布：它們已經將Nantero公司的技術轉變為標準的半導體產品系列。
Nantero公司正在開發高密度非易失性隨機存取內存，又稱NRAM，這種產品有望替代現行的內存形式。這種技術采用被稱為納米管的碳圓柱分子，LSI公司設在俄勒崗州Grasham工廠將生產采用納米管材料的新型內存。
碳納米管是新型碳材料中的一種，即所謂富勒烯(Fullerenes)，這種材料的發現有助于激發人們對微分子級材料處理的興趣，這個領域被稱為納米技術。富勒烯由碳原子構成，其排列形狀類似Buckminster Fuller所設計的測地線原屋頂的節點。研究人員在1991年制出了納米管，納米管由單一或多層圓柱體構成，這些圓柱體不到10個毫微米寬。一毫微米等于一米的10億分之一。
兩家公司稱，從實驗室到生產線的轉換用了9個多月，兩家公司還指出，仍然需要做相當大的工作來改善芯片。
LSI生產工廠的副總裁和總經理Armour指出，納米管內存生產遵循與其他半導體產品同樣的路線圖。他指出，如果沒有開發上的問題，內置碳納米管內存（替代靜態隨機讀取內存 SRAM）的處理器將于明年在工廠生產線上實現商業化量產。
碳納米管內存可以極大地改進手機、筆記本電腦和其他電子設備的性能。如今天的閃存和SRAM內存一樣，碳納米管的設計可在電源切斷時保存數據—這是高于動態隨機讀取內存的優勢。但是它比閃存快的多，電力消耗也更小。并且比SRAM內存便宜的多，而且更加緊湊。
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