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近日，北京大學工學院席鵬特聘研究員課題組聯合香港大學的Wen-Di Li教授課題組、臺灣Huan-Cheng Chang課題組以及清華大學黃蕾博士，分別利用受激輻射光淬滅技術(STED)和結構光照明超分辨技術(SIM)，實現了對NV center的超光學極限分辨率的顯微成像對比。

　　受激輻射光淬滅技術(STED)和結構光照明超分辨技術(SIM)作為兩種超光學極限分辨顯微技術，已經在生命科學領域得到廣泛應用。過去，兩種超分辨顯微技術的特性還沒有在同一樣品上進行過比較。利用NV center無光漂白的特性，作者對這兩種超分辨顯微技術的分辨率等參數進行了深入全面的對比研究。利用35nm的NV center納米鉆石顆粒和大塊鉆石上的NV center點陣實現了對這兩種方法對比成像。STED 具有更高的分辨率，然而SIM 具有更大的視場范圍。相關成果發表于皇家化學學會出版集團的期刊RSC Advances上。

　　席鵬課題組研究生楊旭三為本文第一作者，席鵬為本文通訊作者。席鵬課題組的研究領域包括超衍射極限分辨率顯微成像、激光共聚焦掃描顯微成像、多光子顯微成像和光學相干層析成像等。