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西安交通大學(xué)張志成教授課題組與美國賓州州立大學(xué)王慶教授合作,弛豫鐵電聚合物電致應(yīng)變材料中取得新進(jìn)展
2019-03-20  來源:中國聚合物網(wǎng)

  以PVDF基聚合物為首的弛豫鐵電聚合物因其具有巨大的電致應(yīng)變,較高的儲能模量以及很快的響應(yīng)速度可以作為智能材料被廣泛應(yīng)用。然而,現(xiàn)階段弛豫鐵電聚合物具有兩個明顯的缺陷:首先,它需要很高的電場才能實現(xiàn)具有應(yīng)用意義的應(yīng)變;其次,由于聚合物擊穿場強(qiáng)的限制,輸出的彈性能量密度不夠大。

  最近,西安交通大學(xué)張志成教授課題組與美國賓州州立大學(xué)王慶教授合作,通過對分子結(jié)構(gòu)設(shè)計得到了低電場下具有較大介電常數(shù)以及高擊穿場強(qiáng)的新型弛豫鐵電聚合物,實現(xiàn)了低電場下大應(yīng)變(60 MV m-1 應(yīng)變?yōu)?3.0%),同時最大應(yīng)變達(dá)到-13.4%,最大能量密度為3.1 J cm-3,是目前弛豫鐵電聚合物中性能最好的,并且通過非常簡單的加工工藝就可以制作成低電場下雙向大應(yīng)變的驅(qū)動器。該研究成果以Superior Electrostrictive Strain Achieved Under Low Electric Fields in Relaxor Ferroelectric Polymers 為題發(fā)表在 J. Mater. Chem. A., 2019, 7, 5201上。

  首先,不同于傳統(tǒng)弛豫鐵電體對于三氟乙烯的依賴,直接將聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)(P(VDF-CTFE)摩爾比為80/20)經(jīng)消去氯化氫(J. Mater. Chem., 2012, 22, 18496)得到含有20 mol%雙鍵的聚合物(P(VDF-DB)),經(jīng)500%拉伸之后,可以得到具有弛豫鐵電相的聚合物。其介電溫譜如圖1a,P(VDF-DB)-500具有接近室溫的居里轉(zhuǎn)變峰并且其溫譜具有頻率依賴性,符合典型的弛豫鐵電體的溫譜特征。聚合物在高電場下的介電常數(shù)為圖1b,該聚合物具有遠(yuǎn)高于常規(guī)弛豫鐵電聚合物的介電常數(shù),且所需電場更低,拉伸使得P(VDF-DB)-500具有非常高的擊穿場強(qiáng)(圖1c)。由可知(Q是電致伸縮系數(shù),P是電場下的電位移值,ε0是真空介電常數(shù)(8.85x10-12 F m-1),κ是聚合物的介電常數(shù),E是施加的電場),低電場下的大介電常數(shù)使得聚合物在低電場下就會有較大的應(yīng)變。

圖1. (a) P(VDF-DB)-500的介電溫譜; (b) P(VDF-DB)-500和P(VDF-TrFE-CTFE)在高電壓下的介電常數(shù); (c) P(VDF-DB)-500和P(VDF-TrFE-CTFE)的擊穿場強(qiáng).

  圖2a為聚合物應(yīng)變隨電場變化的趨勢,可以看到P(VDF-DB)-500在很低的電場下就出現(xiàn)了很大的應(yīng)變,而傳統(tǒng)弛豫鐵電聚合物在電場小于50 MV m-1時應(yīng)變非常小。在60MV m-1時,P(VDF-DB)-500應(yīng)變?yōu)?3.0%,相當(dāng)于P(VDF-TrFE-CTFE)的4-5倍。P(VDF-DB)-500的最大應(yīng)變?yōu)?13.4%(275 MV m-1),是P(VDF-TrFE-CTFE)的3.5倍(-4.0%,120 MV m-1),是此前報道的應(yīng)變最高值(P(VDF-TrFE-CFE))的兩倍(-7.0%,180 MV m-1)。P(VDF-DB)-500的最大能量密度為3.1 J cm-3,是此前報道最大值的近3倍(1.1 J cm-3)。

圖2. (a) P(VDF-DB)-500和P(VDF-TrFE-CTFE)的電致應(yīng)變隨電場變化; (b) P(VDF-DB)-500和P(VDF-TrFE-CTFE)的機(jī)電耦合系數(shù); (c) P(VDF-DB)-500和P(VDF-TrFE-CTFE)的儲能密度.

  圖3展示了將P(VDF-DB)-500制成電驅(qū)動器后,其在電場下的形變。圖3a為驅(qū)動器在電場下的應(yīng)變圖像,可以看到在很低的電場下驅(qū)動器就能實現(xiàn)很大形變(30 MV m-1,210 V)。并且,繼續(xù)加大電場,驅(qū)動器可以反向形變(50 MV m-1,350 V)。將測量數(shù)據(jù)列在圖3b中可以看出,制成驅(qū)動器后,在低電場下P(VDF-DB)-500驅(qū)動器就具有很大的應(yīng)變,是P(VDF-TrFE-CTFE)驅(qū)動器的三倍以上。P(VDF-DB)-500以其優(yōu)良的性能,簡單的工藝條件將拓寬電活性聚合物的應(yīng)用范圍和前景。

圖3. (a) 驅(qū)動器在較低電場下的形變; (b) 驅(qū)動器在直流電場下應(yīng)變與電場關(guān)系.

  該工作主要由課題組汪霄博士生完成,是課題組基于多年來在PVDF基氟聚合物改性及鐵電壓電薄膜研究基礎(chǔ)上開展的,該工作結(jié)果的取得為新型電致伸縮聚合物薄膜及器件的設(shè)計制備提供了新思路。感謝國家自然基金(51773166, 51573146)和西安市新能源材料化學(xué)重點實驗室(201805056ZD7CG40)的資助,也感謝合作單位(美國賓州州立大學(xué)王慶教授、西安交通大學(xué)陳花玲教授朱子才副教授團(tuán)隊、中化藍(lán)天集團(tuán)有限公司)的幫助,感謝西安交通大學(xué)分析測試共享中心(HPC Platform)的支持。

  論文鏈接:http://dx.doi.org/10.1039/C8TA11938D

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