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  場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導體電荷傳輸層和絕緣電介質(zhì)層三部分組成。近年來，電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品小型化、輕量化、智能化的發(fā)展趨勢對FET等基礎(chǔ)電學元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發(fā)展的需求。進入21世紀后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機半導體材料的優(yōu)良電荷傳輸特性已被較為充分地發(fā)掘，分子結(jié)構(gòu)創(chuàng)新的匱乏導致半導體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升。基于這種現(xiàn)狀，西安交通大學魯廣昊教授課題組將研究重點轉(zhuǎn)向絕緣電介質(zhì)層，通過充分挖掘絕緣介質(zhì)帶電特性形成可控的柵極補償電場，實現(xiàn)FET半導體層電荷傳輸?shù)恼{(diào)控并提高器件性能。

  近日，西安交通大學前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學院李盛濤教授課題組、理學院張志成教授課題組、中科院長春應(yīng)用化學研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規(guī)4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，F(xiàn)PS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強、高熱穩(wěn)定性和疏水性，可實現(xiàn)高度穩(wěn)定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導體層制備的有機場效應(yīng)晶體管具有高達11.2 cm²·V^-1·s^-1的場效應(yīng)遷移率，高達10⁷的開/關(guān)比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，F(xiàn)PS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×10¹²cm^-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環(huán)境中大于一個月的存儲穩(wěn)定性。

  該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發(fā)表在國際材料領(lǐng)域權(quán)威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學院李盛濤教授和中科院長春應(yīng)化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學基金、陜西省自然科學基礎(chǔ)研究計劃、國家博士后基金、電力設(shè)備電氣絕緣國家重點實驗室中青年基金及校基本科研業(yè)務(wù)費的資助。

  論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract