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南京大學(xué)胡文兵教授課題組:DSC跨界應(yīng)用新進(jìn)展 - 微尺度材料界面熱阻的Flash DSC表征
2023-03-29  來源:高分子科技

  隨著電子器件高度集成化和高功率化,微尺度材料的界面熱阻在電子集成系統(tǒng)熱管理設(shè)計(jì)中變得不可忽視[1]。關(guān)于界面熱阻的研究最早可追溯到1701年,牛頓通過觀察熾熱鐵塊在風(fēng)中的降溫過程,提出了牛頓冷卻定律,即鐵塊表面的散熱速率與鐵塊和環(huán)境的溫差成正比。一百多年后的1822年,傅里葉在《熱的解析理論》一書中將牛頓冷卻定律寫成方程,以外熱導(dǎo)能力(external thermal conductibility)定量描述了物體在單位時(shí)間、單位面積、單位溫差下通過表面散失的熱量。隨后,法國數(shù)學(xué)家泊松在1835年將界面傳熱的理論又向前推進(jìn)了一步,他提出界面熱阻等于界面處的溫度落差除以單位面積的熱流速率,這個(gè)定量關(guān)系也是如今求算界面熱阻時(shí)廣泛應(yīng)用的公式。在實(shí)驗(yàn)方面,波蘭物理學(xué)家Smoluchowski1898使用自制的水銀溫度計(jì),記錄水銀柱的高度隨時(shí)間的變化,首次測得固體和氣體之間的界面熱阻應(yīng)當(dāng)在10-6 – 10-5 m2K/W數(shù)量級。前蘇聯(lián)物理學(xué)家Kapitza1941年測得了固體和超流體液氦之間的界面溫差為0.4 K因此也把固-界面熱阻稱為Kapitza熱阻。近七十年以來,固-固界面熱阻理論和實(shí)驗(yàn)研究取得了較大進(jìn)展。前蘇聯(lián)理論物理學(xué)家Khalatnikov1952提出的聲學(xué)失配模型(Acoustic mismatch model, AMM),通過計(jì)算完美界面處聲子的折射反射比,來推算聲子透射率。1987年,美國物理學(xué)家SwartzPohl此基礎(chǔ)上考慮粗糙界面的漫散射,提出了散射失配模型(Diffuse mismatch model, DMM)。迄今為止,能夠在微尺度下測量固-固界面熱阻的時(shí)域熱反射法(time-domain thermoreflectance, TDTR法和電子束自熱法electron-beam self-heating method等實(shí)驗(yàn)研究,都很依賴復(fù)雜而精密的實(shí)驗(yàn)室儀器技術(shù)。因此,迫切需要一種基于商用儀器的通用方法,較為快速準(zhǔn)確地表征微尺度材料的界面熱阻。


  南京大學(xué)胡文兵教授課題組在新開發(fā)的Flash DSC(閃速示差掃描量熱儀)測量薄膜材料跨膜熱導(dǎo)率的方法[2]基礎(chǔ)上,又提出了同時(shí)表征微米厚度薄膜材料界面熱阻扣除界面影響的體熱導(dǎo)率的方法相關(guān)研究結(jié)果以“Flash DSC characterization of thermal contact resistance and cross-plane thermal conductivity of micrometer-thin films”為題發(fā)表于熱分析領(lǐng)域國際核心期刊Thermochimica Acta上。

 

芯片傳感器樣品池上分部擺放尼龍薄膜和銦顆粒的示意圖


  他們在Flash DSC芯片傳感器樣品盤上,按照圖1所示方式擺放尼龍66薄膜樣品并進(jìn)行升溫掃描測試,通過比較放置在薄膜樣品上方的銦顆粒和直接放置在芯片傳感器上銦顆粒的熔點(diǎn)差異,可得薄膜樣品上下表面溫差。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,樣品的上下表面溫差與升溫速率呈現(xiàn)出線性關(guān)系,符合傅里葉熱傳導(dǎo)定律。而在動(dòng)態(tài)掃描過程中,樣品的熱流也和升溫速率呈現(xiàn)出線性關(guān)系。根據(jù)傅里葉熱傳導(dǎo)定律熱阻的定義,這兩個(gè)線性變化的斜率之比,即為體系總熱阻本項(xiàng)研究測試了三種不同厚度的尼龍66薄膜,研究結(jié)果如圖2所示,體系總熱阻薄膜厚度之間呈現(xiàn)出很好線性關(guān)系。將薄膜厚度外推至零,得到了薄膜樣品芯片傳感器之間的界面熱阻1.317×10-5 m2K/W對于厚度約為10微米的樣品,界面熱阻在總熱阻的貢獻(xiàn)約30%,這說明在熱管理中,當(dāng)薄膜材料的厚度達(dá)到10微米以下時(shí),界面熱阻是一項(xiàng)不容忽視的重要因素。而這樣一個(gè)線性變化的斜率的倒數(shù),即為扣除界面熱阻之后樣品本體的熱導(dǎo)率0.32 W/m/K,比此前測0.25 W/m/K[3]更大一些,這是因?yàn)樾?/span>方法扣除了界面熱阻的影響,修正了原先適用于較厚薄膜本體熱導(dǎo)率的測試結(jié)果。 


尼龍66薄膜總熱阻和薄膜厚度之間呈現(xiàn)線性依賴關(guān)系


  論文詳情Kefeng Xie, Ying Cui, Xiaoning Ren, Yongxuan Chen, Jun Cai, Wenbing Hu,* Flash DSC characterization of thermal contact resistance and cross-plane thermal conductivity of micrometer-thin films, Thermochimica Acta, 2023, 179493. 

  https://doi.org/10.1016/j.tca.2023.179493


參考文獻(xiàn)

[1] J. Chen, X. Xu, J. Zhou, B. Li, Interfacial thermal resistance: Past, present, and future, Rev. Mod. Phys. 94 (2022) 025002.

[2] Y. He, X. Li, L. Ge, Q. Qian, W. Hu, Cross-plane thermal conductivity of thin films characterized by Flash DSC measurement, Thermochimica Acta, 677 (2019), pp. 21-25

[3] K. Xie, Y. He, J. Cai, W. Hu, Thermal conductivity of Nylon 46, Nylon 66 and Nylon 610 characterized by Flash DSC measurement, Thermochimica Acta, 683 (2020), 178445.

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