福建物構(gòu)所黃偉國研究員、方偉慧研究員 Adv. Mater.：在打破聚合物介電常數(shù)和損耗之間的“平衡”關(guān)系取得新進展
2023-09-05 來源：高分子科技
場效應(yīng)晶體管（FET）是CPU、傳感器和顯示器的核心部件，其中，介電層對調(diào)節(jié)晶體管的整體性能方面具有至關(guān)重要的作用。目前，電介質(zhì)材料仍然存在多種缺點，比如具有強偶極子耦合的鐵電材料或極性聚合物電介質(zhì)中的高極性基團在高電場下表現(xiàn)出明顯的極化滯后，導(dǎo)致器件的高損耗。具有高介電常數(shù)的納米顆粒添加劑雖可有效提高聚合物薄膜的電容，但同時也會增加漏電損耗并降低介電層的擊穿強度。因此，聚合物介電常數(shù)和損耗之間的內(nèi)在平衡已經(jīng)嚴重阻礙了高性能聚合物介電材料的發(fā)展。
聚合物電介質(zhì)設(shè)計策略的比較
原文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202306260
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