隨著科學技術地發展,電子元器件的散熱始終是一個艱難的挑戰,制備具有優良綜合性能的高導熱聚合物絕緣材料正成為該領域的研究熱點,受到越來越多國內外研究同行的關注。
華僑大學陳國華教授團隊利用石墨烯修飾的金剛石填充環氧樹脂制備導熱復合材料,不僅大幅度提高了環氧樹脂的導熱率,而且沒有犧牲其電絕緣性。
此方法制備的導熱復合材料制備過程簡單而且利用金剛石的絕緣性質阻止了石墨烯之間電子的傳遞。當環氧樹脂中填充70 wt%此雜合填料時,復合材料的導熱率為2.85 W/mk,比純環氧樹脂提高了1,190%。
此研究在導熱絕緣領域具有較大的突破,在電子封裝等絕緣導熱領域具有重要的應用價值。

從該模型圖可以清晰、直觀地看出石墨烯修飾金剛石的制備過程,以及填充于環氧樹脂基體中的分散狀態。石墨烯修飾的金剛石能被均勻分散,而且生長在金剛石表面的石墨烯,既能大幅度提高復合材料的導熱率二不改變復合材料的電絕緣性質。