項目類別：國家自然科學基金面上項目
項目編號：51472130
項目規模：85萬
參與人員：單福凱、劉國俠等9人
起止日期：2015-2018
非晶氧化物半導體(AOS)薄膜晶體管(TFT)具有遷移率高、室溫制備、適合大面積生產、成本低等優點，引起了學術界和工業界濃厚的興趣。然而目前報道的TFT通常穩定性較差并且需要大的電壓獲得大的輸出電流。低溫制備高穩定并且低操作電壓的TFT成為最新的研究熱點。本項目在柔性襯底上利用溶膠凝膠和物理濺射技術低溫制備基于超薄高k介電層的InMZnO體系AOS TFT。
本項目包括三部分：
1) 利用溶膠凝膠技術和"紫外光退火"工藝在柔性襯底上制備超薄高k介電薄膜，降低薄膜的制備溫度。介電薄膜的高k值和低漏電流可以保證TFT的優異性能；
2) 利用濺射技術低溫制備InMZnO溝道層，通過改變M元素種類和化學配比，改變實驗條件和后退火工藝等提高溝道層的電學性能和穩定性。
3) 在柔性襯底上制備性能優異、可低電壓工作、高穩定性的AOS TFT。該TFT在未來的平板顯示領域具有重要的科學價值和廣闊的應用前景。
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