2018年3月10日，F(xiàn)PC課題組第一屆碩士研究生：董文彩，呂昭媛和孟旭東3位同學(xué)順利通過畢業(yè)論文答辯。
董文彩：《含氟氰酸酯樹脂基透波復(fù)合材料的制備研究》。論文取得的創(chuàng)新點(diǎn)和主要結(jié)論如下：
（1）含環(huán)氧端基含氟化合物TFMPMO共聚改性BADCy（m-BADCy），有效改善了BADCy本體的透波性能；通過PDA/KH-560結(jié)合對(duì)PBO纖維進(jìn)行表面改性，提升了PBO纖維和BADCy樹脂基體的界面相容性和粘接強(qiáng)度；
（2）當(dāng)TFMPMO用量為15 wt%時(shí)，m-BADCy綜合性能最優(yōu)，其ε和tanδ分別為2.75和6.7×10-3，較純BADCy的ε和tanδ分別降低8.3%和17.3%；沖擊和彎曲強(qiáng)度分別為15.4 kJ/m2和 141.0 MPa，較純BADCy的沖擊和彎曲強(qiáng)度分別增加了35.1%和24.9%；
（3）PDA成功包覆在PBO纖維表面，KH-560成功接枝到PBO纖維表面，改性后PBO纖維表面親水性提高，單絲拔出強(qiáng)度增加；f-PBO纖維/m-BADCy層壓復(fù)合材料的ILSS和彎曲強(qiáng)度分別為49.5MPa和652.2MPa，比未改性PBO纖維/BADCy層壓復(fù)合材料的ILSS和彎曲強(qiáng)度分別提高了39.8%和12.1%；ε和tanδ分別為2.86和5.7×10-3，比未改性PBO纖維/BADCy層壓復(fù)合材料的ε和tanδ分別降低了6.5%和23.0%。
呂昭媛：《“原位聚合-靜電紡絲”法制備聚酰亞胺導(dǎo)熱復(fù)合材料》。論文取得的創(chuàng)新點(diǎn)和主要結(jié)論如下：
（1）在mBN表面引入特定界面層有效降低了mBN/PI兩相界面熱阻；開發(fā)“原位聚合-靜電紡絲”法制備mBN/PI導(dǎo)熱高分子復(fù)合材料技術(shù)，為制備兼顧高導(dǎo)熱、低介電和優(yōu)異耐熱性能的復(fù)合材料提供了一種可行制備方法；
（2）靜電紡絲法可以制備出直徑均勻的PAA纖維，PAA表面mBN負(fù)載量隨BN用量的增加而增多；mBN/PI導(dǎo)熱復(fù)合材料的ε和tanδ、Tg和熱穩(wěn)定性均隨mBN用量的增加而提高。當(dāng)mBN用量為30wt%時(shí)，mBN/PI導(dǎo)熱復(fù)合材料的λ為0.676W/mK，約為純PI（0.174W/mK）的4倍；1MHz下的ε和tanδ值分別為3.77和0.007，高于純PI的ε和tanδ；Tg和耐熱指數(shù)（THRI）分別為240.3oC和278.4oC，均高于純PI；
（3）mBN表面功能化改性有助于提升PI導(dǎo)熱復(fù)合材料的導(dǎo)熱和耐熱性能，并降低ε。當(dāng)POSS-g-mBN用量為30wt%時(shí)，POSS-g-mBN/PI導(dǎo)熱復(fù)合材料的λ、Tg和THRI分別為0.690W/mK、251.7oC和280.2oC；1MHz下的ε和tanδ值分別為3.31和0.004。
孟旭東：《改性氮化硼/硅橡膠介電導(dǎo)熱復(fù)合材料制備及性能研究》。論文取得的創(chuàng)新點(diǎn)和主要結(jié)論如下：
（1）采用KH-550/POSS結(jié)合對(duì)BN進(jìn)行表面改性，改善了BN和VMQ的界面相容性，降低界面熱障；微納BN復(fù)配填充更易形成導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)或?qū)嵬罚岣邔?dǎo)熱性能；
（2）mBN/VMQ介電導(dǎo)熱復(fù)合材料的λ、ε和tanδ均隨mBN用量增加而提高，mBN表面改性有助于進(jìn)一步改善VMQ介電導(dǎo)熱復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。當(dāng)POSS-g-mBN用量為40vol%時(shí)，POSS-g-mBN/VMQ介電導(dǎo)熱復(fù)合材料的λ為1.43W/mK，約為純VMQ的λ（0.18W/mK）的8倍。ε和tanδ分別為3.35和0.0049，高于純VMQ的ε（2.70）和tanδ（0.001）；
（3）相同BN用量下，nBN/VMQ介電導(dǎo)熱復(fù)合材料的λ和α均低于mBN/VMQ。微納BN復(fù)配填充有利于進(jìn)一步提升VMQ復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。當(dāng)POSS-g-mBN/POSS-g-nBN用量為40vol%時(shí)，POSS-g-mBN/POSS-g-nBN/VMQ介電導(dǎo)熱復(fù)合材料的λ升至1.64W/mK。ε和tanδ分別為3.40和0.0053，高于純VMQ的ε（2.70）和tanδ（0.001）。
