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    課題組擁有RTS-8型四探針測試儀，該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國A.S.T.M標準而設(shè)計，是用于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器。測試范圍寬（電阻率：10^-5～10⁵ Ω·cm，方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/口，電導(dǎo)率：10^-5～10⁵ s/cm，電阻：10^-5～10⁵ Ω），精度高（±0.1%），可用于棒材電阻率、薄圓片電阻率、薄層方塊電阻、反型外延層方塊電阻、離子注入層方塊電阻等的測定。