課題組韓佳城同學(xué)首次采用“自下而上法”合成硼量子點(diǎn)，平均尺寸約為6.4nm，應(yīng)用于閃存器件中具有低誤讀率等優(yōu)勢(shì)。該成果在線發(fā)表在RSC高水平學(xué)術(shù)刊物CrystEngComm上，CrystEngComm為SCI收錄、中科院二區(qū)期刊，影響因子3.545。
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