Nano Y2-xSiO5:Eux3+: Preparation, structure effect on emitting properties, emitting mechanism
writer：Shanyi Guang, Chao Zhang, Hongyao Xu*, Haiyan Wang, Naibo Lin,
keywords：發光材料
source：期刊
specific source：Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2007, 23 (6): 999-1004
Issue time：2007年
用溶膠凝膠法合成了Y2- xSiO5∶Eux 納米發光材料, 使用XRD、FTIR 和TEM對其結構進行了表征。討論了相結構、煅燒溫度和Eu3+摻雜濃度對材料發光性能的影響及規律。結果顯示煅燒溫度在900 ℃以下, 材料主要呈非晶相結構, 900 ℃以上材料主要呈晶態結構; 顆粒隨煅燒溫度升高而增大, 在非晶態時顆粒大小在15~45 nm, 在晶態時顆粒大小為60~80 nm。激發光譜和熒光發射光譜受材料晶相結構以及Eu3+摻雜濃度的影響, 在晶態結構中Y2- xSiO5∶Eux 納米材料呈現更精細的激發和發射光譜。在激發光譜中, 電荷轉移態吸收(CST)隨煅燒溫度升高呈現蘭移現象, 晶態時CST 同非晶態相比明顯紅移; 在發射光譜中, 非晶態時5D0→7F2 躍遷呈現強的發光峰, 隨材料制備溫度升高而增強, 在晶態時該發光峰強度減弱, 在長波波段呈現兩個新的發光尖峰, 并隨煅燒溫度升高而增強; 5D0→7F1 發射峰從非晶態轉變為晶態后, 光譜裂分為三重尖峰; 而5D0→7F0 躍遷發光光譜受結構和顆粒大小影響較小。同時在60~80 nm 的Y2- x SiO5∶Eux 晶體中, 發現材料5D0→7F2 和5D0→7F1 躍遷發光強度, 均受Eu3+摻雜濃度的影響, 當摻雜濃度x=0.4 時, 材料發光強度最大。