發明/申請人：孔令斌, 孫林林, 康龍.
專利號/申請號：ZL200910021718.8
授權/申請日期：2012-11-7
用于超級電容器電極的多孔碳薄膜材料的制備方法，其步驟為：首先在750～800℃沉積溫度下在容器內的沉積位置處放入基片；用真空泵將容器中的空氣抽出，使容器內達到高真空，即1-7～10-8Pa的真空狀態；向容器內通入惰性保護氣體，用質量流量計控制惰性保護氣體的流量為70～80mL/s；向容器內通入還原氣體，用質量流量計控制氣體流量為70～80mL/s；然后向容器內通入烴類混合氣體，用質量流量計控制氣體流量為50～80mL/s；將容器加熱，加熱到900～1000℃時進行保溫，時間持續1～2小時，混合烴類氣體的還原反應使得基底上沉積出多孔碳，即得多孔碳薄膜材料。