課題組韓佳城同學首次采用“自下而上法”合成硼量子點，平均尺寸約為6.4nm，應用于閃存器件中具有低誤讀率等優勢。該成果在線發表在RSC高水平學術刊物CrystEngComm上，CrystEngComm為SCI收錄、中科院二區期刊，影響因子3.545。
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