項(xiàng)目類別：國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目
項(xiàng)目編號(hào)：51672142
項(xiàng)目規(guī)模：62萬(wàn)元
參與人員：?jiǎn)胃P等9人
起止日期：2017-2020
面對(duì)低功耗和高性能互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成電路的迫切需求，P型氧化物材料和P溝道薄膜晶體管（TFT）的研究具有重要的意義。本項(xiàng)目以溶液法制備高質(zhì)量P型氧化物薄膜為基礎(chǔ)，開發(fā)低溫、無(wú)毒、環(huán)境友好的P型氧化物材料；以實(shí)現(xiàn)高遷移率、高穩(wěn)定性為目標(biāo)，為CMOS集成電路提供低成本、高性能的P型氧化物材料。
本課題包括四部分：
1) 利用‘水性’sol-gel技術(shù)和‘UV光退火’低溫工藝制備高質(zhì)量P型氧化物薄膜；
2）通過(guò)設(shè)計(jì)摻雜實(shí)驗(yàn)，優(yōu)化P型氧化物薄膜的能帶結(jié)構(gòu)，得到高空穴遷移率的P型氧化物材料；
3）將制備的高性能P溝道薄膜與溶液法制備的超薄高k介電層集成，實(shí)現(xiàn)基于超薄高k介電層的高性能、低壓操作P溝道TFT；
4）深入探索溶液法制備的低壓、高性能P型溝道層TFT在CMOS集成電路中的應(yīng)用，比如在反相器和環(huán)形振蕩器中的應(yīng)用。