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　　事實(shí)上，《EE Times》早在2006年便對這家默默無聞的公司進(jìn)行過報(bào)道。另外，4DS、Qs Semiconductor與Adesto Technologies等公司同樣在今年取得了不小的進(jìn)步。我們還看到許多較大規(guī)模的IDM廠商也在加大對電阻式內(nèi)存(RRAM)方面的投入。值得一提的還有憶阻器技術(shù)的發(fā)展，因?yàn)樵陔娮杼匦苑矫嬲宫F(xiàn)出存儲效應(yīng)的兩個(gè)終端設(shè)備，是對惠普實(shí)驗(yàn)室倡導(dǎo)的憶阻器理論基礎(chǔ)的實(shí)踐應(yīng)用。憶阻器常常被認(rèn)為是繼電阻器、電容器和電感器之后的第四個(gè)無源電器元件。
　　9.直通硅晶穿孔
　　先進(jìn)硅芯片表面最上方的互連堆疊(interconnect stack)很深，而且會隨最低幾何限度有顯著的差異。我們一直認(rèn)為這可能會導(dǎo)致芯片前段(front-end)制造分成不同表面和互連(緊隨更高的互連堆疊)，甚至可能在不同的芯片制造商存在。出于市場營銷和技術(shù)方面的原因，這種將多裸晶(multiple die)堆疊在一個(gè)包裝內(nèi)的渴望還需要更復(fù)雜的互連；而直通硅晶穿孔技術(shù)(through-silicon-vi)能完全穿透硅晶片或裸晶，是制造3D包裝的關(guān)鍵。2009年5月，Austriamicrosystems公司開始在工廠生產(chǎn)TSV組件，客戶群體是將CMOS集成電路與傳感器組件等進(jìn)行3D整合的廠商。這樣的組件在2010年估計(jì)會有更多。
　　10.花樣翻新的電池技術(shù)
　　我們現(xiàn)在已經(jīng)完全適應(yīng)了摩爾定律和微電子產(chǎn)品小型化的趨勢，于是很容易對任何性能無法每隔兩年就大大增強(qiáng)的技術(shù)倍感失望。但是，電池技術(shù)已相對成熟，不像集成電路一樣受同一力量的驅(qū)動(dòng)。事實(shí)上，如果能量存儲過于密集，會變成十分危險(xiǎn)的事情。盡管如此，我們越來越依賴于電池去儲存能量，為各種各樣的電子裝置供電。毋庸置疑，如果電子技術(shù)不能進(jìn)一步取得突破，環(huán)保的電動(dòng)車注定不會再有未來，汽車和可持續(xù)發(fā)展環(huán)保技術(shù)的結(jié)合也是一句空話。
　　我們面臨的壓力可想而知。近年來，以鎳和鋰為原料(如鋰鐵磷酸鹽)的電池研究取得了一定進(jìn)展，有望取代值得尊敬但問題多多的堿性錳干電池。從事可充電式鋅空氣(zinc-air)電池開發(fā)的公司ReVolt已將俄勒岡州波特蘭市作為其在美國的總部和生產(chǎn)基地。我們估計(jì)在2010年會有更多具備智能功能的電池問世，為開發(fā)能量可控的集成電路提供機(jī)遇。