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ZnO∶Ga透明導(dǎo)電膜的低溫制備及特性研究

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關(guān)鍵詞：

磁控濺射 ZnO:Ga 光電特性

資料大小：

104K

所屬學(xué)科：

性能表征

來源：

來源網(wǎng)絡(luò)

簡介：

采用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上低溫制備出高質(zhì)量的鎵摻雜氧化鋅（ZnO:Ga）透明導(dǎo)電膜，對薄膜的結(jié)構(gòu)和光電特性以及制備參數(shù)對薄膜性能的影響進行了研究。制備的ZnO:Ga是具有六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)的多晶薄膜，最佳擇優(yōu)取向為(002)方向。薄膜的最低電阻率達到了3.910-4Ωcm，方塊電阻～4.6Ω/□，薄膜具有良好的附著性，在可見光區(qū)的平均透過率達到90%以上。

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2007-07-13 14:43:06

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zk19841012 2009-01-02 9:55:28

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