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MW-ECR制備的氫化非晶硅光電特性研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
氫化非晶硅薄膜 暗電導(dǎo)激活能 光敏性 |
| 資料大小： |
262K |
| 所屬學(xué)科： |
性能表征 |
| 來(lái)源： |
來(lái)源網(wǎng)絡(luò) |
| 簡(jiǎn)介： |
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通過(guò)對(duì)熱絲輔助微波電子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制備的氫化非晶硅(a－Si:H)薄膜進(jìn)行暗電導(dǎo)與溫度關(guān)系的測(cè)試，可得到暗電導(dǎo)激活能(Ea)，并研究了Ea與a－Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的關(guān)系；發(fā)現(xiàn)隨著Ea的增大，費(fèi)米能級(jí)位置下移，缺陷態(tài)密度減少，薄膜的光敏性變好。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時(shí)間： |
2007-07-17 14:55:41 |
| 下載次數(shù)： |
577 |
| 消耗積分： |
2
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| cqs2008 2009-09-25 17:12:55 |
| 很好的文章，下下來(lái)看看！ |
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