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> Block copolymers composite for advanced memory device applications
Block copolymers composite for advanced memory device applications
Block copolymers composite for advanced memory device applications
資料類型:
PDF文件
關鍵詞:
資料大小:
632K
所屬學科:
分子表征
來源:
2012年兩岸三地高分子液晶態與超分子有序結構學術研討會(2012.8.26-29,湘潭)
簡介:
Resistiveswitchingmaterialsmadeoforganicpolymerthinfilmshasbeenrecognizedtobeapromisingalternativeascomparedtotraditionalinorganiccounterpartsduetotheadvantagesofstructuralflexibility,low-cost,solutionprocessability,andthree-dimensionalstackingcapability.Theactivelayerexhibitsdistincthighandlowconductanceresponsestotheappliedvoltagesfortheapplicationsofdigitalmemorydeviceswithsimplesandwichedstructures.Hybrid-typecompositedevicecanbeinvestigatedtoinducethebistableresistiveswitching.Forthehostmatrices,blockcopolymersthatconsistoftwoormorecovalently-bondedblocksmicro-phaseseparateonthemolecularscaletopossessavarietyofstructuresanduseastemplateformanipulatingtheguestadditivespreciselyincompositessystemwithphysical/chemicalstability.Inthistalk,bistableresistiveswitchingcharacteristicsusingasymmetricpoly(styrene-block-4-vinylpyridine)(PS-b-P4VP)blockcopolymersandPCBMorgrapheneoxideaschargestoragematerialsarereportedforvariousmemoryeffectssuchasnon-volatile(flashorwrite-onceread-manytimes(WORM))andvolatile(dynamicrandom-accessmemory(DRAM)orstaticrandom-accessmemory(SRAM))memory.Differentswitchingmechanismsuchastrapping/detrappingorchargetransfereffectwillbediscussed.Ourresultssuggestthatthecontrolledmorphologyoftheblockcopolymerscompositecouldcreatenanoscalechargestorageelementsforthehighdensitymemorydevicewithareducingbitcellsize.
作者:
Cheng-Liang Liu, Wen-Chang Chen
上傳時間:
2012-12-12 14:54:31
下載次數:
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