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BST類鐵電薄膜的最低晶化溫度和自組裝生長(zhǎng)研究  
BST類鐵電薄膜的最低晶化溫度和自組裝生長(zhǎng)研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 鐵電薄膜  BST  外延生長(zhǎng)  LMBE  
資料大小： 226K
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利用激光分子束外延技術(shù)（LMBE）在Si(111)、SrTiO3（100）單晶基片上在（10-5Pa）高真空環(huán)境中外延生長(zhǎng)SrTiO3（STO）、BaTiO3（BTO）、Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）鐵電薄膜。通過(guò)反射高能電子衍射（RHEED）實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜生長(zhǎng)，并結(jié)合原子力顯微鏡（AFM）分析薄膜的生長(zhǎng)模式。根據(jù)RHEED衍射強(qiáng)度振蕩曲線及衍射圖樣的變化確定動(dòng)態(tài)和靜態(tài)最低晶化溫度，發(fā)現(xiàn)STO、BTO、BST三種鐵電薄膜可以分別在280℃、330℃、340℃的低溫下實(shí)現(xiàn)外延層狀生長(zhǎng)。當(dāng)保持BTO(110)/Si（111）層狀生長(zhǎng)，逐漸降低沉積速率時(shí),發(fā)現(xiàn)這種層狀模式中每層高度是由整數(shù)倍單胞堆積而成，并且隨著沉積速率從0.017nm/s降低到0.005nm/s時(shí)，每層高度由9降低到1個(gè)BTO單胞構(gòu)成，這對(duì)由ABO3鈣鈦礦材料自組裝形成納米結(jié)構(gòu)具有重要意義。
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上傳時(shí)間： 2007-07-13 13:23:38
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