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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
II-VI族化合物 碲鋅鎘 晶體生長 退火改性 晶體缺陷 |
| 資料大小： |
197K |
| 所屬學科： |
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| 來源： |
來源網絡 |
| 簡介： |
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圍繞作者所在課題組近年來的研究工作，綜述了II－VI族化合物半導體晶體生長過程中的各種結構缺陷及其形成機理。從晶體生長過程和后續的熱處理過程兩個方面指出了晶體缺陷的控制原理和方法。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-18 13:43:32 |
| 下載次數： |
6982 |
| 消耗積分： |
2
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