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水相/有機兩相電化學方法制備陣列聚吡咯納米線 |
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PDF文件
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| 關鍵詞： |
聚吡咯 界面聚合 電化學聚合 納米結構陣列 |
| 資料大小： |
95K |
| 所屬學科： |
高分子化學 |
| 來源： |
來源網絡 |
| 簡介： |
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陣列納米結構在化學、生物傳感器、場發射和光電器件等方面具有廣泛的應用前景。我們采用水相/有機兩相體系，用電化學氧化的方法獲得垂直于電極表面的陣列聚吡咯納米線。與界面化學法合成聚苯胺相比，這種方法獲得的納米線比較均勻，納米線之間沒有融合的結點。與多步電化學和稀溶液化學氧化的方法生長的陣列聚苯胺（長度一般小于1微米）相比，這種方法獲得的吡咯納米線的長度可以通過循環伏安的圈數控制在幾百納米到幾個微米之間，直徑可以通過電極表面的粗糙度來控制最初的成核密度來實現，大約在為110－200納米之間。這種納米線的形成區別于一般的模板法或無模板法，無須引入外來的空間取向因素。納米線的形成不受所用摻雜劑（酸）的影響。聚吡咯納米線形成的機理為首先在電極表面成核，由于摻雜劑的保護作用和界面擴散控制的非常低的吡咯單體濃度使聚合是發生在納米線的頂端。該方法準備陣列聚吡咯納米線非常簡單有效，在納米器件（如場發射，化學和生物傳感器）和電響應的功能表面等領域具有潛在的應用。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-12-04 17:22:33 |
| 下載次數： |
5551 |
| 消耗積分： |
2
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