中國正進(jìn)入芯片高速發(fā)展期，光刻膠作為半導(dǎo)體制造不可或缺的材料，技術(shù)門檻高，而國內(nèi)光刻膠整體技術(shù)水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后國際先進(jìn)水平，自給率較低，且集中在低端產(chǎn)品。該行業(yè)目前主要被美日企業(yè)把持，國內(nèi)市場正面臨“卡脖子”困局。此外，市場上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大且普適性強(qiáng)的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)，當(dāng)半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)進(jìn)入sub-100 nm，甚至是sub-10 nm，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度（LER）低的光刻圖形，成為光刻制造的共性主題。半導(dǎo)體市場持續(xù)擴(kuò)大，如何進(jìn)一步降本增效，也是大家共同努力的方向。而具備二元協(xié)同光響應(yīng)機(jī)制的光刻膠有望為上述問題提供明確的方向，同時為EUV光刻膠的著力開發(fā)做技術(shù)儲備。
圖1. 雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)化學(xué)放大光刻膠的合成及其光刻工藝示意圖。
圖2. 幾種不同光刻膠體系在紫外光輻照下膜層的紫外吸收光譜動態(tài)變化：(a) P(MONMA-TBMA); (b) P(MONMA-HEMA-TBMA); (c) MONS/PMMA; (d) MONS/PTBMA; (e) MONS/P(MONMA-TBMA); (f) MONS/P(MONMA-HEMA-TBMA)。
圖3.（a）光刻顯影后P(MONMA-HEMA-TBMA)化學(xué)放大膠的光學(xué)顯微鏡效果圖；（b）光刻膠十字圖案表面形貌的掃描電鏡圖像；（c）光刻膠溝道圖案表面形貌的掃描電鏡圖像；（d）光刻膠溝道圖案寬度正態(tài)分布。
原文鏈接：https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.148810
通訊作者簡介
朱明強(qiáng)教授，2001年畢業(yè)于北京大學(xué)，獲理學(xué)博士學(xué)位。現(xiàn)任職華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心教授。在JACS、Nano energy、Nat. Commun.與Adv. Mater.等國際頂刊上發(fā)表了100多篇論文，獲2017年北京市自然科學(xué)二等獎和2023年湖北省自然科學(xué)二等獎，于2018年入選英國皇家化學(xué)學(xué)會會士。目前的研究重點(diǎn)集中于光刻制造、有機(jī)納米光電子學(xué)和超分辨率成像。
柳俊教授，2014年畢業(yè)于香港城市大學(xué)，獲理學(xué)博士學(xué)位。曾先后獲湖北省“百人計劃”，“3551光谷”，深圳市“海外高層人才孔雀計劃”，深圳市龍崗區(qū) “龍崗區(qū)高層次人才” 等人才稱號。于2021年加入湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室，任工藝中心主管。在Nanomaterials、ACS APM、Appl. Phys. Lett.和Solid-State Electronics等國際頂刊上發(fā)表多篇論文。目前主要負(fù)責(zé)化合物半導(dǎo)體的制造、加工和表征。
向詩力博士，2021年畢業(yè)于華中科技大學(xué)武漢光電國家實(shí)驗(yàn)室，獲理學(xué)博士學(xué)位。在Nano energy、ACS APM、Chem. Eng. J. 與Chem. Mater.等國際頂刊上發(fā)表多篇論文。曾獲“3551光谷優(yōu)秀青年人才” 稱號。2022年加入湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室，目前主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體光刻制造的前端研發(fā)。
- 浙大伍廣朋教授課題組 Angew：可水顯影的高性能二氧化碳基化學(xué)放大光刻膠 2024-09-27
