華南理工大學郭子豪課題組 AFM : 具有超低閾值電壓的n型有機電化學晶體管
2024-11-01 來源：高分子科技
圖1基于FBDOPV-CNTVT的超低閾值電壓的n-型有機電化學晶體管
圖2 對比基于FBDOPV-CNTVT和文獻中報道的一些結構的n-型OECTs器件的性能
圖3 基于BDOPV型共軛聚合物的OECTs器件的測試表征
BDOPV型共軛聚合物具有低的LUMO能級，已經被應用于高性能n-型有機場效應晶體管（OFETs）。然而關于BDOPV骨架的n-型OECTs器件研究較少。閾值電壓代表晶體管器件的開啟電壓，對于共軛聚合物，主要受LUMO能級的影響，LUMO能級越低，越有利于電子的注入，從而開啟器件。氟原子和氰基的引入已經被證實有利于進一步降低LUMO能級，從而獲得更低閾值電壓的n-型OECTs器件。基于以上策略，作者通過在電子供體（TVT）部分引入氰基，在電子受體（BDOPV）部分引入氟原子，實現了獲得具有超低閾值電壓的n-型OECTs器件的目標（圖3）。此外，FBDOPV-CNTVT的OECTs器件的品質因數μC*值達到了6.13 F cm-1 V-1 s-1, 2000 s的操作穩定性達到了85%。
原文鏈接：https://doi.org/10.1002/adfm.202412181
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（責任編輯：xu）
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