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韓國延世大學Cheolmin Park院士團隊《ACS Nano》:手性光學突觸鈣鈦礦憶阻器作為可重構物理不可克隆函數
2025-01-19  來源:高分子科技

  物理不可克隆函數(PUFs)被認為是硬件安全的關鍵組件。這些系統通過利用制造過程中固有的隨機變化來生成獨特的加密密鑰,有效地為每個設備分配一個數字指紋。PUFs因其防克隆的特性、成本效益和抵抗物理攻擊的能力而受到重視,廣泛應用于防偽、安全認證、強大的身份驗證和動態密鑰生成。在各種類型的PUFs中,光學PUFs和基于存儲的PUFs尤其重要。


  光學PUFs依賴于光與材料微觀結構的相互作用,產生幾乎無法復制的復雜模式。這些系統利用散射、折射、偏振或熒光等特性,在高安全性應用中使用多種材料,包括聚合物分散液晶、納米結構材料和自組裝納米材料。相反,基于存儲的PUFs利用諸如憶阻器之類的設備中由制造引起的變化。由于其固有的隨機行為和高熵性,基于憶阻器的PUFs引人注目,這種性質源于周期性阻抗的變化。它們的可重配置性能允許在單一設備中創建多個挑戰-響應對(CRPs),增強安全性并在數據受損時能夠重新生成數據庫。


  盡管在光學和基于存儲的PUFs方面都取得了研究進展,但在單一設備中結合這兩種功能仍然是一個未充分探索的領域。整合兩者可以通過增加額外的保護層來增強安全性,并通過增加可能的CRPs范圍來提高可擴展性。開發能夠合并這些功能的材料對于推進安全認證技術和創造高效的安全解決方案至關重要。



  本研究著重于通過將手性鈣鈦礦納入憶阻器中來開發一種可重配置的光學和基于存儲的PUF。手性鈣鈦礦能與圓偏振光(CPL)產生獨特的相互作用,生成適合CPL敏感應用的光電響應,如光探測器、光誘導記憶和神經形態計算。研究人員展示了一種使用二維手性有機-無機鹵化鈣鈦礦的手性光學突觸憶阻器(CSM)。CSM顯示出神經形態增強和CPL敏感的光電特性,使其能夠生成可重配置的數字指紋。通過使用這些憶阻器的10×10交叉陣列,他們利用阻抗分布數據生成了加密密鑰,并將其轉換為二進制位。PUF性能指標的提高包括49.8%的互漢明距離(HD)和5.1%的內部HD。這些結果展示了CSM用于安全數據存儲、加密和光神經形態應用的潛力,提供了一個用于可重配置憶阻器基PUFs的綜合框架。


圖1展示了具有10×10交叉陣列結構的手性鈣鈦礦憶阻器的電阻切換行為。該設備中間夾有一層手性鈣鈦礦,兩端分別是銀(Ag)和氧化銦錫(ITO)電極。切換行為由鹵素空位(VI+ 和 VBr+)遷移驅動,形成導電絲,使設備在高電阻狀態(HRS)和低電阻狀態(LRS)之間轉換。逐漸的設定/重置過程實現了精確的電流控制,這對于在PUF設備中生成可靠的挑戰-響應對(CRPs)至關重要。通過分析50個周期的HRS電流水平的變異性,為CRP生成提供了更高的熵值,而雙極性切換確保了設備具有超過1000的高開關比,表現出穩健的性能。


圖2展示了含有路易斯堿的R-和S-(MBA)?PbI?(1–x)Br?x的光學和結構特性,重點研究了它基于波長和偏振與光的相互作用。尿素的加入作為路易斯堿,穩定了鈣鈦礦晶格并通過改善分子排列和結構完整性增強了圓二色性(CD)特性。CD測量顯示出在紫外和可見光譜范圍內具有明顯的光學活性和鏡像峰值,這一結果得到了紫外-可見吸收數據的支持。Tauc圖分析確定了光學帶隙為2.45 eV,而UPS分析提供了能帶結構的洞見。一個光電探測器設備證實了其對圓偏振光(CPL)敏感的光電性能。


圖3突出顯示了基于手性鈣鈦礦的手性光學突觸憶阻器(CSM)的突觸特性。受神經突觸架構的啟發,CSM能夠區分圓偏振(CPL)狀態,并在CPL照明下生成光電流。通過電壓和光刺激展示了如短期增強(STP)和長期增強(LTP)等突觸行為。CSM實現了神經形態計算,其應用在MNIST數字識別測試中的表現為例,分別在右旋圓偏振(RCP)、左旋圓偏振(LCP)和黑暗條件下,識別準確率達到82%、73%和67%。設備對CPL的敏感響應和可控的突觸強度使其適用于光子人工突觸和PUF應用。


圖4展示了CSM-PUF的密鑰生成協議,利用其光學和電學特性來創建安全的加密密鑰。該系統通過調制光子因素(如光強和偏振角)以及電脈沖屬性(包括脈沖數量和幅度)來操作。通過相鄰單元間的差分電流感測生成二進制響應,不同的挑戰產生獨特的響應。受CPL狀態影響的導電率變異增加了熵。一個10×10的CSM陣列使用這種方法產生了一個50位的響應。CSM-PUF的可重配置性允許通過完全數據擦除和重新編程生成多個加密密鑰。


圖5展示了可重配置CSM-PUF的密鑰生成過程。設備首先被初始化為低電阻狀態(LRS),然后系統地重置為高電阻狀態(HRS),從而啟用挑戰-響應對(CRPs)的生成。在CPL條件下放大的導電率變異增強了熵和隨機性。這一過程在重新配置和比特校正后達到了近乎最優的互漢明距離(49.8%)和改善的內部漢明距離(5.1%)。在溫度和環境變化條件下進行了可靠性測試,展示了經過自組裝單層(SAM)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)鈍化處理后的穩定性。二進制信號被轉換為條形碼和二維碼,展示了該設備生成安全、防篡改的加密密鑰以進行實時認證的能力。


  該工作以“Chiroptical Synaptic Perovskite Memristor as Reconfigurable Physical Unclonable Functions”為題目發表在《ACS Nano》上,文章第一作者是延世大學材料學院在讀博士生HoYeon Kim。通訊作者為Cheolmin Park院士。該研究得到韓國國家自然科學基金的支持。


  原文鏈接:https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.4c11753


通訊作者簡介


Cheolmin Park 教授,韓國科學院/工程院兩院院士,延世大學(QS 56)杰出教授, H-index 66。目前擔任Director of BK21 Education and Research Division for Futuristic Human-centric Materials, Director of Center for Artificial Synesthesia Materials Discovery,以及Board of Directors in Materials Research Society (MRS)。他于1992年和1995年在首爾國立大學獲得學士和碩士學位, 2001年在麻省理工學院獲得博士學位,2001-2022年,在哈佛大學擔任博士后研究員。2002年9月起,在延世大學成立Nanopolymer課題組,研究方向涉及光電材料和器件,鈣鈦礦以及低維納米材料,能量收集等并探索其在柔性傳感,發電和交互顯示器件的廣泛應用。迄今已在Nature materials, Nature communications, Science advance, Energy & Environmental Science, Advanced materials等期刊發表270多篇SCI論文。

課題組網站:https://yonseinpl.wixsite.com/nanopolymer

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(責任編輯:xu)
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