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中科院化學所在有機場效應(yīng)晶體管研究方面取得系列進展
2011-01-04  來源:中國聚合物網(wǎng)

    有機場效應(yīng)晶體管(OFET)由于在大面積、低成本和柔性化有機電子產(chǎn)品方面的潛在應(yīng)用前景而備受學術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注,成為有機電子學中的研究前沿領(lǐng)域之一。目前,盡管OFET的性能已經(jīng)初步滿足實用化要求,但仍然存在性能低、穩(wěn)定性差和與有機電子學相配套的低成本溶液法加工技術(shù)亟待開發(fā)等問題,這些問題大大限制了OFET及相關(guān)有機電路的實際應(yīng)用。

    在科技部、國家自然科學基金委和中國科學院的支持下,化學所有機固體院重點實驗室的研究人員一直致力于有機場效應(yīng)晶體管的功能材料和器件方面的研究,取得了一些新進展,這些結(jié)果引起了國際學術(shù)界的關(guān)注,英國《化學會評論》和德國《先進材料》分別發(fā)表了他們的綜述。

    溶液法制備的OFET具有制備工藝簡單和低成本的獨特優(yōu)勢,他們針對聚合物OFET的特點,開發(fā)了溶劑輔助退火的方法,在聚合物半導(dǎo)體層表面引入少量溶劑后二次退火,大大提高了聚合物半導(dǎo)體層的分子排列規(guī)整性,從而大幅提高了器件性能(圖1)。該方法還可以在半導(dǎo)體薄膜上直接引入各種功能層或保護層,實現(xiàn)頂柵OFET的制備或器件的有效封裝,為OFET的制備和封裝提供了新思路。研究表明,此方法適用于多種聚合物OFET,具有較好的普適性。有關(guān)結(jié)果發(fā)表在Adv. Mater., 2010, 22, 1273-1277上。

 

圖1. 聚合物OFET溶劑輔助退火前后性能對照圖

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