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    頂柵結構器件是改善器件穩定性的途徑之一，研究人員開發了新的頂柵結構器件制備技術，主要包括自支撐（self-supporting）絕緣層的制備，以及自支撐絕緣層與半導體層之間自發的干法層合（圖２）。由于避免了任何可能的溶劑侵蝕以及對界面的破壞，采用這種方法得到的頂柵器件具備很好的場效應性能。有關工作已申請中國發明專利，并發表在Adv. Mater., 2010, 22, 3537-3541上。

圖２. 由自支撐絕緣層制備頂柵結構的有機場效應晶體管示意圖

    有機半導體的主體結構是具有p結構的共軛體系，目前分子結構與性能之間的關系尚在探索中，還沒有行之有效的設計原則。研究人員經過多年的摸索和不斷總結（J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 13281; J. Am. Chem. Soc., 127, 15700; J. Am. Chem. Soc., 128, 15940; J. Am. Chem. Soc., 2006, 128, 16418; J. Am. Chem. Soc., 2007, 129, 1882; Adv. Mater., 2007, 19, 3037; Adv. Mater., 2008, 20, 611; Adv. Mater., 2008, 20, 1286; Adv. Mater., 2008, 20, 3289），對分子結構、凝聚態結構對器件性能影響及器件的優化有了一些認識，這些結果得到學術界同行的認可，英國皇家化學會Chemical Society Reviews發表了題為“p-Conjugated molecules with fused rings for organic field-effect transistors: design, synthesis and applications” 的Tutorial Review (Chem. Soc. Rev., 2010, 39, 1489-1502) ，系統地介紹了他們該小組近幾年來在稠環p共軛分子的設計、合成和在有機場效應晶體管中的應用（圖３）。

圖３. 稠環p共軛分子的設計、合成和在有機場效應晶體管中的應用