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高介電HfO2薄膜的制備及其結構和界面特性研究

資料類型：

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關鍵詞：

等離子體氧化氧化鉿高介電薄膜制備界面

資料大?。?/td>

109K

所屬學科：

結構表征

來源：

來源網絡

簡介：

報道了用低溫等離子體直接氧化濺射金屬鉿膜的方法制備高介電HfO2薄膜。研究了退火溫度及氣氛對薄膜的結構和界面特性的影響。傅立葉變化紅外測試結果表明：界面的主要成分為SiO2，氧氣氣氛下的高溫退火將導致界面SiO2的不可控制的生長。高純的N2退火導致了界面層的分解，引起Si-O鍵的振動峰位的輕微移動。

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2007-07-12 15:44:43

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相關評論 共有1人發表評論

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gutian 2010-03-03 15:53:04

試了幾次才下來，文章還是不錯的

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