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磁控濺射沉積的Ge/ZnO復合多層膜的光致發(fā)光特性研究

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關鍵詞：

磁控濺射 Ge/ZnO多層膜光致發(fā)光

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簡介：

采用交替濺射Ge和ZnO靶的方法在Si(100)單晶基片上沉積了Ge/ZnO復合多層膜，并對其在空氣中不同溫度下進行了快速加熱處理。在高溫處理中部分Ge成分會被氧化轉(zhuǎn)變成Ge的氧化物，XRD結(jié)果表明所制備的薄膜是由ZnO、Ge、GeO和GeO2多晶顆粒組成的復合薄膜，且隨著溫度的升高晶粒的尺寸加大，結(jié)晶度提高。光致發(fā)光譜的測量顯示，經(jīng)過高溫處理過的Ge/ZnO復合多層膜可以在395nm左右發(fā)出強的紫光，隨著溫度的增加紫峰變尖銳且強度大大提高，并有590nm的黃發(fā)光峰出現(xiàn)。紫峰的增強是由于薄膜結(jié)晶度提高導致激子復合增加的結(jié)果，黃峰是由于Ge顆粒引起的局域態(tài)相關的躍遷而產(chǎn)生的。

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2007-07-17 16:11:07

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