化學所在有機場效應(yīng)晶體管研究方面取得新進展
2008-03-10 來源：中國聚合物網(wǎng)
關(guān)鍵詞：
OFETs的器件結(jié)構(gòu)(a)及器件的輸出(b)和轉(zhuǎn)移曲線(c)
在國家自然科學基金委、科技部、中科院的大力支持下，化學所有機固體院重點實驗室的研究人員在有機場效應(yīng)晶體管（OFETs）的研究方面取得新進展，有關(guān)研究成果發(fā)表在近期的Adv. Mater. (2008, Vol. 20, No. 3, p.611－615)上。
OFETs是未來有機電子學中最重要的單元器件，由于其制備工藝簡單、成本低和柔韌性好等優(yōu)點，在智能卡、電子商標、電子紙、存儲器、傳感器和有源矩陣顯示器等應(yīng)用方面前景廣闊。目前基于有機半導(dǎo)體材料－并五苯的有機場效應(yīng)晶體管的研究取得了很大的進展，其主要技術(shù)指標，遷移率和開關(guān)比已基本達到應(yīng)用的要求。但是，器件還存在著夾斷電壓較高，閾值電壓難于控制等缺點。
聚乙烯咔唑（PVK）是有機光電器件中常用的聚合物主體材料，具有優(yōu)異的成膜性，良好的載流子存儲能力和寬的帶隙等優(yōu)點。該研究采用20 nm厚的PVK薄膜作為緩沖層，修飾并五苯與SiO2的界面，制備了并五苯OFETs。結(jié)果表明，PVK緩沖層的加入明顯提高了器件遷移率和開關(guān)比（遷移率約為0.5 cm2/V s, 開關(guān)比約為107）；同時顯著降低了器件的夾斷電壓（器件的夾斷電壓的絕對值都小于20 V ）。另外還發(fā)現(xiàn)：起始柵極電壓可以改變存儲在PVK緩沖層中的載流子數(shù)目，從而實現(xiàn)了在單個器件中起始柵極電壓對器件閾值電壓的調(diào)控。這一研究對于OFETs在有機電子電路領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。
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（責任編輯：龍翔）
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