中科院化學所成功構筑大面積電荷轉移復合基有序納米結構陣列
2008-09-26 來源：中國聚合物網
關鍵詞：
大面積的CuTCNAQ納米線和納米墻及其場發射性能、κ-(BEDT-TTF)2Cu(SCN)2納米棒陣列
在國家自然科學基金委、科技部和中科院的大力支持下，化學所有機固體院重點實驗室的研究人員在構筑大面積有序納米材料陣列的研究方面又取得了新的進展。
近年來，電荷轉移復合鹽納米材料在許多方面表現出潛在應用前景。構筑大面積、形貌和尺寸可控的電荷轉移復合物納米結構陣列是該領域研究的熱點之一。
近年來，有機固體院重點實驗室的科研人員通過控制有機固－液反應，實現了有機電荷轉移鹽CuTCNAQ納米線和納米墻陣列的大面積可控生長（10cm2），對其生長機理進行了詳細研究，并發現了它們是一類綜合性能優異的場發射陰極材料。他們還利用電場誘導生長和兩相界面生長技術分別獲得了大面積電荷轉移復合物κ-(BEDT-TTF)2Cu(SCN)2和TTF-TCNQ納米線，并通過自組裝實現了基于氧化鋅和寡聚PPV的核－殼結構無機/有機雜化納米棒大面積陣列的構筑（4cm2）。由于該類核－殼結構是p-n異質結構，每一根納米棒都是一個p-n結，因此具有優良的p-n結效應。通過與美國喬治亞大學王中林教授合作，研究了ZnO-OPV納米棒陣列的壓電性能，并證明了該體系具有優良的壓電性質。
這些研究對功能有機材料在納米尺度下的大面積有序生長具有指導意義，相關的研究結果分別發表在Adv. Mater. 2008, 20, 309-313, J. Phys. Chem. C, 2007, 111, 3544-3547 , Nanotechnology 18, 495704 和 Nano Lett, 2008, 8(1), 203-207。
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（責任編輯：龍翔）
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