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宛宛類卿 | 基于甲氧基取代的聚(三芳基)胺新型空穴傳輸材料制備高填充的反式鈣鈦礦電池
2022-03-11  來源:高分子科技

  “上帝創造了固體,惡魔創造了表面”。在反式鈣鈦礦電池器件中也不例外,相對于鈣鈦礦上界面而言,其下界面具有更多微米、納米級的孔洞。作為鈣鈦礦生長的基底,聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺] (3Me-PTAA)這一明星空穴傳輸材料 (HTM)與鈣鈦礦前驅體溶液脾性不合,即由于極性溶劑和缺電子的陽離子和富電子的PbI3-離子之間的靜電相互作用,使鈣鈦礦前驅體溶液具有強極性;由于非極性的三芳基基團包裹著氮核,使3Me-PTAA表面呈現非極性。這種非極性表面阻礙了鈣鈦礦前驅體溶液的均勻鋪展,產生了高缺陷態密度的埋底界面,增強了界面非輻射復合,從而降低電池性能。



  近日,福建物構所先進功能材料實驗室高鵬研究團隊設計了一種新型的空穴傳輸材料——聚[(4-苯基)(2,4-二甲氧基苯基)] (2MeO-PTAA)。宛宛類卿,可2MeO-PTAA是有些高表面能在身上的。這是因為兩個非對稱取代給電子的極性甲氧基基團增強了2MeO-PTAA的色散分量,增加了表面極性,從而提高了其表面能。這種較高的表面能可以增加異相成核過程中鈣鈦礦晶核與聚合物空穴傳輸層之間的粘附力,2MeO-PTAA/鈣鈦礦界面接觸更加緊密 (SEM截面圖),不僅促進了空穴的抽取 (TRPL, EIS, TPC),而且降低了載流子復合損失(TAS, TPV)。基于2MeO-PTAA的鈣鈦礦電池器件效率為20.23%,填充高達84.31%。其較低的理想因子意味著Shockley–Read–Hall陷阱復合也得到了抑制。


  此外,根據細致平衡模型擬合實際的J-V曲線進一步分析了器件內部的能量損耗機制。將能量損耗細分為串聯電阻損耗、并聯電阻損耗、體復合損耗和表面復合損耗。仿真結果表明,基于2MeO-PTAA的器件表面復合損耗和并聯電阻復合損耗比例大大降低,這得益于無孔洞高質量的2MeO-PTAA/鈣鈦礦界面。本研究提供了一種更有效的改善鈣鈦礦前驅體溶液在聚合物HTM上浸潤性的方法。


1 分子的物理性質


2鈣鈦礦在兩種分子上的結晶過程


3 器件的光電轉化性能


4 器件高填充的分析


5器件內部損耗機制的分析


  相關論文發表在ACS Applied Materials & Interfaces上,中科院福建物構所博士生王燦為文章的第一作者,高鵬研究員為通訊作者。


  文章鏈接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.1c23942


通訊作者介紹:

  高鵬,博士,博士生導師,研究員,海外高層次人才引進計劃青年項目入選者。于2010年畢業于德國馬普高分子研究所并獲得化學博士學位。2011-2015年于洛桑聯邦理工學院從事博士后工作,專注于近紅外吸收染料及雜化鈣鈦礦材料設計合成。博士和博士后期間在SCI期刊上發表原創性論文與綜述90多篇,受邀撰寫書章節2部。其中部分研究成果以第一/通訊作者身份發表在J. Am. Chem. Soc.Adv. Mater.Energy Environ. Sci.Adv. Energy Mater.Chem. Mater.Chem. Sci.等高檔次雜志期刊上,多篇論文被選為期刊封面或熱點論文。截止目前根據google scholar統計,個人SCI H-index58, 文章總引用近30000次。20171月籌建先進功能材料實驗室(LAFM),擔任研究員和課題組長,專注于與稀土元素相結合的有機光電功能材料,開發新型高效光伏及電(光)致發光材料。

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(責任編輯:xu)
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