中國科大劉世勇教授團隊 Angew：基于精準高分子化學的單組分極紫外光刻膠
2024-09-29 來源：高分子科技
在過去幾十年中，光刻技術不斷進步，以實現更小的臨界尺寸，推動集成電路向更高水平的集成發展。極紫外(EUV)光刻已成為制造亞10 nm特征的最先進技術，但其材料面臨重大挑戰。盡管化學放大光刻膠和聚甲基丙烯酸甲酯是EUV光刻的主要材料，但它們的性能未能達到預期標準。在同時實現分辨率、線邊粗糙度(LER)和靈敏度需求的光刻膠開發上，仍然存在顯著挑戰。
圖1. (a) 自降解聚合物在電子束或極紫外光刻中的降解和交聯機制。(b) 通過迭代增長法合成的自降解聚合物光刻膠顯示出更高分辨率和更低的線邊緣粗糙度。
圖4. 刻蝕抗性評估
原文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202415588
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（責任編輯：xu）
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