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天大汪懷遠(yuǎn)、東油王池嘉 CEJ:通過實(shí)驗(yàn)與模擬相結(jié)合揭示填料表面超支化調(diào)控提升涂層樹脂/填料間界面作用機(jī)制-滿足苛刻環(huán)境防腐需求
2025-04-17  來源:高分子科技

  在高溫、高壓及高濃度CO?等嚴(yán)苛環(huán)境下,金屬材料易發(fā)生腐蝕,導(dǎo)致設(shè)備壽命縮短、維護(hù)成本增加,并威脅安全運(yùn)行,同時(shí)也阻礙了碳捕集與封存(CCUS)技術(shù)的推廣。環(huán)氧樹脂涂層因其優(yōu)異的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性成為主流防腐手段,但其固化過程中易產(chǎn)生微孔和裂紋,為腐蝕介質(zhì)滲透提供了通道。無機(jī)填料(如SiC)雖能提升涂層硬度與耐高溫性,但其與環(huán)氧樹脂的相容性差,易分散不均且界面結(jié)合弱,反而降低涂層的整體性能。因此,如何通過改性SiC填料優(yōu)化其與樹脂的界面結(jié)合,成為提升涂層防護(hù)性能的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。


  針對(duì)上述問題,汪懷遠(yuǎn)教授及王池嘉團(tuán)隊(duì)通過超支化聚合物(HBP)對(duì)SiC填料進(jìn)行表面改性,以增強(qiáng)其與環(huán)氧樹脂的界面結(jié)合力,從而提升涂層的耐磨性和耐腐蝕性。研究采用一步法合成含羥基和羧基的超支化聚合物,將其接枝于SiC表面,制備超支化改性填料(HBP-SiC)。通過實(shí)驗(yàn)表征(如紅外光譜、接觸角、SEM等)和分子動(dòng)力學(xué)模擬(MD),系統(tǒng)分析了改性填料的表面特性、涂層微觀結(jié)構(gòu)及腐蝕介質(zhì)擴(kuò)散行為。結(jié)果顯示,HBP-SiC填料通過共價(jià)鍵和氫鍵作用顯著改善與環(huán)氧樹脂的相容性,降低腐蝕介質(zhì)滲透速率,使涂層在高溫高壓條件下仍保持優(yōu)異的防護(hù)性能。




  近日,該研究成果以Enhancing Interfacial Properties of Epoxy Coatings via Hyperbranched Modification of SiC Fillers: Experimental and Simulation Insights”為題發(fā)表在《Chemical Engineering Journal》上。



1 (a)環(huán)氧樹脂、(b) 胺類固化劑、(c)交聯(lián)環(huán)氧樹脂、(d)EP涂層、(e)SiC填料、(f)EP/SiC5%涂層(g)EP/SiC20%涂層(h)EP/SiC30%涂層(i)HBP-SiC填料、(j)EP/HBP-SiC5%涂層(k)EP/HBP-SiC20%涂層(l) EP/HBP-SiC30%涂層的MD建模圖


1.填料改性及表征


  如圖2所示,以檸檬酸(CA)和三羥甲基丙烷(TMP)為原料,在140℃下通過縮聚反應(yīng)合成超支化聚合物,并通過脫水縮合接枝到SiC表面。



2 HBP-SiC填料的制備工藝流程圖


  紅外光譜(FTIR)證實(shí)HBP-SiC表面成功引入羧基(C=O, 1735 cm?1)和醚鍵(C-O-C, 1030 cm?1);接觸角測試顯示HBP-SiC的親水性顯著提升(接觸角從80.77°降至6.93°);電鏡(SEM)顯示改性后SiC表面覆蓋均勻有機(jī)層,無顆粒團(tuán)聚。



3 SiCHBP-SiC填料FTIR光譜、接觸角測試與SEM


2.涂層性能測試


  由圖4可知,SiC填料添加量提升至20%及以上時(shí),同添加量的HBP-SiC環(huán)氧復(fù)合涂層的平均質(zhì)量損失少于未改性SiC填料,尤其是當(dāng)HBP-SiC填料添加量在30%時(shí),可使涂層磨損質(zhì)量損失降至0.0124 g,較未改性SiC涂層(0.0250 g)提升顯著。這表明超支化填料含量的提升增強(qiáng)了涂層內(nèi)部環(huán)氧樹脂與填料的交聯(lián)強(qiáng)度,超支化改性可以提升無機(jī)填料的添加上限。



(a1, a2) EP/HBP-SiC20%(b1, b2) EP/HBP-SiC25%(c1, c2) EP/HBP-SiC30%(d1, d2) EP/SiC20%(e1, e2) EP/SiC25%(f1, f2) EP/SiC30%涂層摩擦后的SEM


  圖5不同添加量的EP/HBP-SiC涂層的電化學(xué)阻抗測試結(jié)果。EP/HBP-SiC30%涂層,在苛刻腐蝕測試后仍然保持最高的阻抗模量,其|Z|0.01 Hz值為1.15 × 1010 Ω·cm2并且在奈奎斯特圖中觀察到具有大電容弧半徑的電容電路;在波特圖中僅觀察到電容行為。此外,涂層的低頻相角一直在70°以上,低頻率高相角值意味著涂層的高阻值,且高頻區(qū)也無明顯下降的趨勢。這表明,與EP/SiC涂層相比,超支化改性后碳化硅填料提升了涂層的相容性,延長腐蝕性介質(zhì)的滲透路徑。



5 不同添加量的EP/HBP-SiC涂層高溫高壓腐蝕測試后EIS結(jié)果:(a)奈奎斯特圖(b)波特圖與(c)相角圖


3.理論模擬分析


  通過分子動(dòng)力學(xué)模擬計(jì)算涂層密度、自由體積分?jǐn)?shù)(FFV)及腐蝕介質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)(D),從原子尺度解釋超支化改性對(duì)涂層致密性的影響。模擬結(jié)果顯示,EP/HBP-SiC30%涂層的FFVCl?1.49%)和D值(Cl?0.10×10?11 m2/s)均顯著低于未改性碳化硅涂層,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果高度一致。



通過MD模擬計(jì)算的不同涂層353 K下的(a)密度(b)平均密度



7 (a-g)Cl?探測EPEP/SiC5%EP/SiC20%EP/SiC30%EP/HBP-SiC5%EP/HBP-SiC20%EP/HBP-SiC30%涂層的自由體積分布;(h) Cl?在以上涂層中的MSD曲線


  本研究為極端環(huán)境下環(huán)氧涂層的填料選擇與表面改性提供了理論和實(shí)驗(yàn)依據(jù)。超支化聚合物通過共價(jià)鍵和氫鍵作用錨定于SiC表面,其豐富的羧基和羥基官能團(tuán)與環(huán)氧樹脂形成多維交聯(lián)網(wǎng)絡(luò),顯著提升填料與樹脂的相容性。HBP-SiC填料添加量在30%時(shí),可使涂層兼具高耐磨性(磨損損失降低65%)和卓越耐腐蝕性(阻抗模量達(dá)1.15 × 1010 Ω·cm2),且分子模擬與實(shí)驗(yàn)結(jié)果高度吻合。本研究為超支化改性無機(jī)填料在嚴(yán)苛環(huán)境下的防腐涂層設(shè)計(jì)提供了理論支撐,揭示了界面優(yōu)化與微觀結(jié)構(gòu)調(diào)控對(duì)涂層性能的關(guān)鍵作用,具有重要工程應(yīng)用潛力。


  全文鏈接: https://doi.org/10.1016/j.cej.2025.161841

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