中科院杰出科技成就獎評審結果公示
2011-11-04 來源：中國聚合物網
拓撲絕緣體研究集體
研究集體所在單位：
中國科學院物理研究所
研究集體主要科技貢獻：該研究集體通過計算、理論、實驗的緊密結合，在拓撲絕緣體的研究方面取得了一系列重大突破與創新：（1）發現了Bi2Te3、Bi2Se3系列拓撲絕緣體材料，使廣泛的實驗研究成為可能，這也是目前國際公認的標準拓撲絕緣體材料；（2）突破單晶制備的難題，在國際上率先制備出了原子級平整的Bi2Se3、Bi2Te3單晶絕緣薄膜；（3）實驗驗證了拓撲絕緣體所特有的拓撲物性；（4）發現了拓撲絕緣體Bi2Te3在壓力下的超導態；（5）提出了磁性拓撲絕緣體中的量子化反；魻栃、具有電荷共軛—時間反演不變性的拓撲絕緣體等新概念。
研究集體突出貢獻者及主要科技貢獻：
方 忠 中國科學院物理研究所
主要科技貢獻：領導并組織實施了主要研究工作。預言了Bi2Se3、Bi2Te3系列拓撲絕緣體材料，提出了磁性拓撲絕緣體中的量子化反；魻栃。
戴 希 中國科學院物理研究所
主要科技貢獻：作為主要成員參與了主要的研究工作。預言了Bi2Se3、Bi2Te3系列拓撲絕緣體材料，提出了磁性拓撲絕緣體中的量子化反；魻栃
吳克輝 中國科學院物理研究所
主要科技貢獻：通過MBE制備出了高質量的Bi2Se3、Bi2Te3單晶薄膜。
研究集體主要完成者及工作單位：
馬旭村 中科院物理研究所
何 珂 中科院物理研究所
李永慶 中科院物理研究所
呂 力 中科院物理研究所
靳常青 中科院物理研究所
孫力玲 中科院物理研究所
孫慶豐 中科院物理研究所
謝心澄 中科院物理研究所
姚裕貴 中科院物理研究所
張海軍 斯坦福大學
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（責任編輯：佳）
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