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信息存儲器的發展，在很長一段時間內都遵循摩爾定律，即在價格不變的情況下，每隔18個月，集成電路中可容納的晶體管數量及其性能便會提升一倍。自2000年以來，為滿足人們對數據存儲密度和存取速度日益增高的需求，微電子工業已將構成芯片的存儲元件的尺寸從130納米減小至目前的45納米。到2018年，硅基半導體將達到16納米的物理極限。

 

陳彧介紹說，超出這個極限，晶體管會發生漏電，集成電路里相鄰存儲單元間也會相互影響，存儲器件的可靠性和穩定性都將大受影響。此外，硅基器件制備存在設備昂貴、光刻工藝和周邊集成電路復雜、二維存儲密度有限等問題。

 

“當我們從‘微電子’時代步入‘納電子’時代，在開發下一代存儲技術時，需要引進全新的概念、材料和技術，新材料始終是現代電子工業的基礎和關注的重點。”陳彧表示。

 

陳彧告訴記者，以高分子材料制備阻變存儲器件，為超大規模集成電路的發展提供了一個新的思路。與硅基材料相比，高分子材料有明顯優勢，它容易加工、成本低、功耗小、重量輕、體積小、存儲密度高，可以三維堆積，甚至可大面積“刷涂”在玻璃、塑料和集成電路上，還能根據需要對分子結構進行精心剪裁，調控材料和相應器件的存儲性能。

 

不過，高分子材料要勝任阻變存儲器件的角色，必須具有可用來實現二進制編碼和數字信息存儲的電雙穩特征。簡單地說，就是當在材料薄膜兩邊施加一個足夠大的外電壓時，器件可由低導電狀態（OFF）轉變為高導電狀態（ON）。如果撤銷外電場后還可繼續穩定地保持OFF或ON態，說明器件有記憶性能，有望成為存儲器件。如果通過外界刺激能將器件從ON態恢復到OFF態，則器件具有可擦寫性。

 

“這里的OFF態和ON態相當于二進制系統中的‘0’態和‘1’態，外加電信號相當于對信息的寫、讀或者擦除等操作。”陳彧表示。

 

為達到這些目標，在過去3年里，陳彧課題組以石墨烯及其衍生物為構筑單元，先后創新設計和制備了一系列具有可擦寫存儲或一次寫入多次讀出功能的新型功能高分子信息存儲材料，提出了“納米預自組裝”方法制備存儲器件和提高器件穩定性的新思路，在《先進材料》、《美國化學會志》等期刊上發表論文16篇，研發的新型存儲材料在啟動電壓、開關比、熱穩定性、維持時間、讀寫循環、存儲密度等多項關鍵指標上有所突破，部分指標接近或達到實際應用技術的需求。