 |
摻鍺CZSi禁帶寬度的變化 |
|
|
|
| 資料類型： |
PDF文件
|
| 關(guān)鍵詞： |
直拉法 晶體生長(zhǎng) SiGe體單晶 禁帶寬度 |
| 資料大小： |
293K |
| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來(lái)源： |
來(lái)源網(wǎng)絡(luò) |
| 簡(jiǎn)介： |
|
采用近紅外分光光度儀（UV/VIS）測(cè)試了直拉法生長(zhǎng)的摻雜不同Ge濃度的硅單晶樣品，得到了不同鍺濃度下1000~2000nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)樣品的透射率和反射率，利用相關(guān)公式計(jì)算出單晶的光學(xué)吸收系數(shù)，根據(jù)吸收系數(shù)與單晶禁帶寬度的關(guān)系式作圖，得到了不同鍺濃度樣品的禁帶寬度值。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，隨鍺濃度的提高，樣品的禁帶寬度逐漸減小。這結(jié)論與理論結(jié)果相吻合。 |
|
| 上傳人： |
|
| 上傳時(shí)間： |
2007-07-06 12:58:16 |
| 下載次數(shù)： |
592 |
| 消耗積分： |
2
|
| 立即下載： |
|
|
| 友情提示：下載后對(duì)該資源進(jìn)行評(píng)論，即可獎(jiǎng)勵(lì)2分。 |
|
| 報(bào)告錯(cuò)誤： |
1.下載無(wú)效
2. 資料明顯無(wú)價(jià)值
3. 資料重復(fù)存在 |
| |
|
| ye112 2008-11-10 17:15:29 |
| 寫得再詳細(xì)點(diǎn)好不 |
|
| 你還沒(méi)有登錄，無(wú)法發(fā)表評(píng)論，請(qǐng)首先 |
 |
| 免責(zé)聲明：本站部分資源由網(wǎng)友推薦，來(lái)自互聯(lián)網(wǎng)，版權(quán)屬于原版權(quán)人，如果不慎侵犯到您的權(quán)利，敬請(qǐng)告知，我們會(huì)在第一時(shí)間撤除。本站中各網(wǎng)友的評(píng)論只代表其個(gè)人觀點(diǎn)，不代表本站同意其觀點(diǎn)。 |
|
|
|
|
