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p-Si TFT柵絕緣層用SiN薄膜的制備與研究

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關鍵詞：

PECVD SiN薄膜反應源氣體流量比反應壓強

資料大?。?/td>

277K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

以NH3和SiH4為反應源氣體，采用射頻等離子體增強化學氣相沉積（RF-PECVD）法在多晶硅（p-Si）襯底上沉積了一系列SiN薄膜并進行了相關性能測試。系統地分析討論了反應源氣體流量比和反應壓強對SiN薄膜介電常數、電學性能及界面特性的影響。在制備高質量的p-SiTFT柵絕緣層用SiN薄膜方面具有重要的參考價值。

作者：

張化福，劉漢法，祁康成

上傳時間：

2008-09-11 15:27:51

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