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溫度及溫度梯度對SiC單晶生長的影響

資料類型：

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關鍵詞：

SiC單晶溫度及溫度梯度生長速率多型擴徑生長

資料大小：

142K

所屬學科：

分子表征

來源：

來源網絡

簡介：

利用升華法在高溫低壓下生長大直徑SiC單晶。通過實驗發現：在相同的軸向溫度梯度下，SiC晶體平均生長速率隨籽晶溫度的升高而變大。通過減小軸向溫度梯度，降低晶體生長界面的徑向過飽和度分布，可以抑制多型的生長。通過優化溫場的徑向溫度梯度，利用φ50mm的籽晶進行生長，得到了φ57mm的SiC單晶，實現了晶體的擴徑生長。

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2007-07-09 11:41:34

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hustlb 2009-03-23 9:59:53

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