|
|
| 資料類型： |
PDF文件
|
| 關鍵詞： |
CdSe 晶體生長 氣相提拉 平界面 生長 |
| 資料大小： |
321K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
|
以晶體生長理論為基礎，計算了氣相提拉生長CdSe晶體時的生長速率。結果表明用提拉法氣相生長CdSe晶體時，晶體的氣相生長速率將會隨著時間的延長以指數關系快速的趨近于提拉速度，以后不再變化。由此，在選定溫場的前提下，對CdSe單晶體的氣相生長速度進行了優化，確定了3mm/d的生長速度,得到了平界面生長的尺寸為φ20mm30mm，電阻率高達109Ωcm，且未觀察到深能級陷阱的優質CdSe大單晶體。 |
|
| 作者： |
何知宇，趙北君，朱世富，任銳，溫才，葉林森，鐘雨航，王立苗，楊慧光
|
| 上傳時間： |
2008-05-19 15:20:16 |
| 下載次數： |
59 |
| 消耗積分： |
2
|
| 立即下載： |
|
|
| 友情提示：下載后對該資源進行評論，即可獎勵2分。 |
|
| 報告錯誤： |
1.下載無效
2. 資料明顯無價值
3. 資料重復存在 |
