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> 10T 平行強(qiáng)磁場(chǎng)下Ni-納米Al2O3 復(fù)合共沉積的研究
10T 平行強(qiáng)磁場(chǎng)下Ni-納米Al2O3 復(fù)合共沉積的研究
10T 平行強(qiáng)磁場(chǎng)下Ni-納米Al2O3 復(fù)合共沉積的研究
資料類型:
PDF文件
關(guān)鍵詞:
強(qiáng)磁場(chǎng)
復(fù)合共沉積
鎳-納米氧化鋁鍍層
微渦流
資料大?。?/td>
1050K
所屬學(xué)科:
分子表征
來(lái)源:
2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡(jiǎn)介:
將Ni-納米Al2O3復(fù)合電鍍過(guò)程移置于10T平行強(qiáng)磁場(chǎng)(B//J)中,探討了有無(wú)平行強(qiáng)磁場(chǎng)條件下電流密度對(duì)鍍層形貌及鍍層中納米顆粒含量的影響規(guī)律。結(jié)果表明,在10T平行強(qiáng)磁場(chǎng)下,氧化鋁顆粒在復(fù)合鍍層中呈網(wǎng)格狀分布,并且網(wǎng)格的尺寸隨著電流密度的增加而增加;電流密度顯著影響鍍層中納米氧化鋁的含量,不論是否施加磁場(chǎng),當(dāng)電流密度為2Adm-2時(shí)鍍層中顆粒含量最高。施加強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí),可使鍍層在低電流密度下獲得較高的納米顆粒含量。
作者:
汪超,鐘云波,賈晶,任忠鳴,任維麗,鄧康
上傳時(shí)間:
2008-06-10 13:17:45
下載次數(shù):
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