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注硅對(duì)SIMOX 材料性能影響的研究

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關(guān)鍵詞：

離子注入 simox 絕緣體上硅總劑量輻射效應(yīng)

資料大小：

224K

所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡(jiǎn)介：

首先采用注硅的方法改進(jìn)SIMOX(注氧隔離)SOI(絕緣體上硅)材料，對(duì)硅注入在SIMOX材料的絕緣埋層中形成的納米硅團(tuán)簇的條件和納米團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了論述。并對(duì)埋層結(jié)構(gòu)與抗輻射性能的機(jī)理進(jìn)行了分析。最后，對(duì)利用注硅改進(jìn)的SIMOX材料制備的MOSFET的輻射特性進(jìn)行了報(bào)道。

作者：

賀威，張正選，田浩，楊惠，俞文杰，王茹，陳明，王曦

上傳時(shí)間：

2008-07-31 17:21:48

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