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SiNx:H 膜沉積氣體壓力與熱處理溫度的匹配性研究  
SiNx:H 膜沉積氣體壓力與熱處理溫度的匹配性研究
資料類型： PDF文件
關鍵詞： sinx:h  膜  鈍化  熱處理  多晶硅太陽電池  
資料大?。?/td> 240K
所屬學科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
采用等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）工藝在多晶硅片上生長SiNx:H膜，研究了不同反應氣體壓力對SiNx:H膜層性能的影響，以尋求SiNx:H膜光學性能和鈍化效果之間的平衡關系。在氣體壓力為0.25Pa時，SiNx:H膜的折射率和鈍化效果均達到理想的范圍，并經840℃熱處理后鈍化效果得到進一步提高，與燒結工藝溫度相匹配。氣體壓力0.25Pa條件下沉積的SiNx:H膜制成太陽電池后開路電壓和短路電流最高，電池性能最佳。
作者： 柳翠，龔鐵裕，許瑞峰，黃勛驊，袁曉，汪樂
上傳時間： 2008-08-12 16:11:14
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