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Ga 摻雜Zn4Sb3 體系熱電性能的研究  
Ga 摻雜Zn4Sb3 體系熱電性能的研究
資料類型: PDF文件
關鍵詞: zn4sb3  熱導率  熱電性能  
資料大?。?/td> 301K
所屬學科: 分子表征
來源: 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡介:
首先在5~310K溫度范圍內,研究了Ga替代對化合物(Zn1-xGax)4Sb3的低溫熱電性能的影響。研究發現相對于無摻雜的Zn4Sb3,(Zn1-xGax)4Sb3(x≠0)的低溫熱導率明顯減小,而且隨著Ga替代量的增加而不斷減小。另外,輕摻雜條件下(x≤0.15),摻雜后的電阻率和熱電勢都減小。而隨后對β-Zn4Sb3和β-(Zn0.85Ga0.15)4Sb3的高溫(300~670K)熱電性能進行了測量,結果充分表明合適量的Ga替代Zn(比如x=0.15),可以優化β-Zn4Sb3的高溫熱電性能。
作者: 劉峰,秦曉英
上傳時間: 2008-08-14 15:16:34
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