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PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
粉粒表面刻蝕 刻蝕純化 太陽(yáng)級(jí)硅 直流冷等離子體 |
| 資料大小： |
511K |
| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來(lái)源： |
2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡(jiǎn)介： |
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介紹了一種用直流輝光放電產(chǎn)生的冷等離子體對(duì)硅粉刻蝕純化的方法。實(shí)驗(yàn)是在氬氣氛中進(jìn)行，結(jié)果表明硅粉純度可由97.66%提高到98.47%。處理后的硅粉還可進(jìn)行熔化－固化－粉碎再處理，因此是一種技術(shù)上可行的太陽(yáng)級(jí)硅制備新方法。文中還應(yīng)用反應(yīng)室鞘層厚度、硅粉沉降平均速度、考慮高能粒子刻蝕作用的刻蝕速率方程等進(jìn)行理論分析，結(jié)果顯示，在一定的工藝參數(shù)下，刻蝕提純是有效的。這也為粉體表面刻蝕研究提供了新的思路。 |
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| 作者： |
王家鑫，尹盛，王飛，王敬義
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| 上傳時(shí)間： |
2008-08-25 14:37:50 |
| 下載次數(shù)： |
40 |
| 消耗積分： |
2
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