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多孔硅襯底在RFIC 無源器件中的應(yīng)用

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關(guān)鍵詞：

rfic 多孔硅傳輸線移相器電感

資料大小：

283K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

介紹低阻硅基多孔硅作為低損耗襯底在射頻集成電路（RFIC）無源器件上的應(yīng)用,分別討論了在RFIC中的傳輸線，移相器和電感等無源器件運(yùn)用多孔硅襯底后性能和主要參數(shù)的改良變化，并從理論上分析變化的原因。多孔硅襯底大大降低了RFIC電路中傳輸線的損耗，使移相器的工作頻率和相移量都發(fā)生變化。運(yùn)用多孔硅襯底，回旋電感的最高Q增加了63%（16.8～27.4），最高響應(yīng)頻率增加了28%（15.2～19.4GHz）。結(jié)果表明多孔硅襯底在高頻情況下完全能滿足RFIC元件的要求。

作者：

張磊兢，郭方敏，葉宇誠，朱自強(qiáng)

上傳時間：

2008-08-26 15:19:10

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