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部分耗盡SOI MOSFETs中翹曲效應的溫度模型

資料類型：

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關鍵詞：

partially depleted soi mosfets floating body potential
threshold voltage

資料大小：

222K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

Atemperature-dependentmodelforkinkeffectofpartiallydepletedsilicon-on-insulatormetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistorsisdevelopedThecurrentconductionmechanismwithtemperatureisexploredindetail.ThetotaldraincurrentconsistsofthetopMOScurrentandthebottomparasiticbipolarjunctiontransistorcurrent.Thesuddenincreaseofdraincurrentoriginatesfromtheincreasingpotentialoffloatingbodyregion.Inthismodel,thedraincurrent,floatingbodypotentialandthresholdvoltagearealsoinvestigatedunderdifferenttemperatures.

作者：

唐俊雄，唐明華，楊鋒，張俊杰，周益春，鄭學軍

上傳時間：

2008-08-27 16:21:57

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