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并五苯場效應晶體管的研制

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分子表征

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簡介：

以X射線衍射儀（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶體結構，通過原子力顯微鏡（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以熱氧化的硅片作為絕緣柵極，并五苯作為有緣層，采用底接觸結構，研制場效應晶體管。經過測試得到其場效應遷移率為1.23cm2/Vs，開關電流比＞106。

作者：

陶春蘭，董茂軍，張旭輝，張福甲

上傳時間：

2008-08-27 16:31:39

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相關評論 共有1人發表評論

zfaj_2005 2009-03-20 16:51:43

挺好，內容有價值

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