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并五苯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研制

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關(guān)鍵詞：

并五苯場(chǎng)效應(yīng)晶體管 xrd afm 遷移率

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290K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡(jiǎn)介：

以X射線衍射儀（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶體結(jié)構(gòu)，通過原子力顯微鏡（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以熱氧化的硅片作為絕緣柵極，并五苯作為有緣層，采用底接觸結(jié)構(gòu)，研制場(chǎng)效應(yīng)晶體管。經(jīng)過測(cè)試得到其場(chǎng)效應(yīng)遷移率為1.23cm2/Vs，開關(guān)電流比＞106。

作者：

陶春蘭，董茂軍，張旭輝，張福甲

上傳時(shí)間：

2008-08-27 16:31:39

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zfaj_2005 2009-03-20 16:51:43

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