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高度(100)取向PLT/PZT 多層鐵電薄膜的制備與性能研究

資料類型：

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關鍵詞：

plt/pzt 多層鐵電薄膜磁控濺射 (100)取向電學性質

資料大小：

316K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

利用射頻磁控濺射技術，以PbOx為過渡層,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上，采用原位濺射技術制備了高度(100)取向的[(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/Pb(Zr0.20Ti0.80)O3]n(n＝1,2){簡記為[PLT/PZT]n}多層鐵電薄膜，研究了層數對多層鐵電薄膜介電性能和鐵電性能的影響。研究得出，(100)取向的PbOx過渡層導致了[PLT/PZT]n多層鐵電薄膜的(100)擇優取向；高度(100)擇優取向的[PLT/PZT]2薄膜具有更大的剩余極化(2Pr＝31.45μC/cm)和更好的“蝴蝶”狀C-V曲線。這些研究結果表明，所制備的(100)取向的[PLT/PZT]2多層鐵電薄膜具有優良的鐵電性能。

作者：

吳家剛，朱基亮，肖定全，朱建國，譚浚哲，張青磊

上傳時間：

2008-08-28 13:54:38

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12346 2010-06-02 13:27:45

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